SAMSUNG Internal SSD 990 EVO Tingkatkan kinerja sehari-hari

Komentar · 404 Tampilan

Kecepatan yang tetap terdepan
990 EVO menawarkan peningkatan kecepatan baca/tulis berurutan hingga 5.000/4.200 MB/s, dan kecepatan baca/tulis acak hingga 700K/800K IOPS, mencapai 43% lebih cepat dibandingkan 970 EVO Plus 2TB. Tunggu lebih sedikit untuk bermain game dan akses file besar

Kecepatan yang tetap terdepan

 Performa penulisan berurutan dan acak diukur dengan mengaktifkan teknologi Intelligent Turbo Write. Intelligent Turbo Write hanya beroperasi dalam ukuran transfer data tertentu. Kinerja dapat bervariasi tergantung pada firmware SSD, perangkat keras & konfigurasi sistem, dan faktor lainnya. Untuk informasi rinci, silakan hubungi pusat layanan setempat Anda.* Konfigurasi sistem pengujian: Prosesor AMD Ryzen9 7950x 16-Core CPU@4.5GHz, DDR5 4800MHz 16GBx2 (PC5-38400), OS-Windows 11 Pro 64bit, Chipset - ASRock X670E Taichi* Untuk memaksimalkan kinerja 990 EVO, periksa apakah sistem Anda mendukung PCIe® 4.0 atau PCIe® 5.0 di situs web Intel atau AMD.*Gambar produk mungkin berbeda dengan produk sebenarnya.

Efisiensi daya yang berevolusi

Nyalakan kanan dan tetap hidup. Dengan peningkatan efisiensi daya sebesar 70% dibandingkan model sebelumnya, komputasi lebih lama tanpa mengkhawatirkan masa pakai baterai. Selain itu, perangkat ini mendukung Modern Standby, sehingga Anda tetap terhubung ke internet dan tetap menerima notifikasi bahkan dalam kondisi daya rendah.

 
* 970 EVO Plus baca/tulis sekuensial - 636/550 MB/Watt, 990 EVO baca/tulis sekuensial – 1.020/933 MB/Watt berdasarkan hasil pengujian internal model berkapasitas 1TB.

Solusi termal cerdas

Label penyebar panas 990 EVO membantu kontrol termal chip NAND. Algoritme kontrol termal mutakhir dari Samsung, dipadukan dengan Dynamic Thermal Guard, memastikan kinerja yang konsisten dan andal. Pertahankan kinerja Anda tetap prima, bukan dorongan Anda.

Perangkat lunak Samsung Magician

Jadikan SSD Anda berfungsi seperti sulap. Alat pengoptimalan perangkat lunak Samsung Magician memastikan kinerja SSD terbaik. Ini adalah cara aman dan mudah untuk memigrasikan semua data Anda untuk peningkatan SSD Samsung. Lindungi data berharga, pantau kesehatan drive, dan dapatkan pembaruan firmware terbaru.

Menghidupkan inovasi

Selama beberapa dekade, memori flash NAND Samsung telah mendukung teknologi inovatif yang telah mengubah setiap aspek kehidupan kita sehari-hari. Teknologi flash NAND ini juga mendukung SSD konsumen kami, memberikan ruang bagi dorongan inovasi besar berikutnya.

Spesifikasi

  • Faktor Bentuk
    M.2
  • Kapasitas
    1TB, 2TB
  • Kecepatan Baca Berurutan
    Hingga 5.000 MB/dtk
  • Kecepatan Tulis Berurutan
    Hingga 4.200 MB/dtk
 

Kode Model (Kapasitas) 1)

  • MZ-V9E1T0BW (1TB)

  • MZ-V9E2T0BW (2TB)

Ciri Umum

  • APLIKASI

    PC Klien

  • FAKTOR BENTUK

    M.2 (2280)

  • ANTARMUKA

    PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe™ 2.0

  • DIMENSI (LxTxD)

    80x22x2.38mm

  • BERAT

    Berat Maks 9.0g

  • MEMORI PENYIMPANAN

    Samsung V-NAND TLC

  • KONTROLER

    Pengontrol internal Samsung

  • MEMORI CACHE

    HMB (Penyangga Memori Host)

Fitur khusus

  • DUKUNGAN PANGKAS

    Didukung

  • DUKUNGAN CERDAS

    Didukung

  • GC (PENGUMPULAN SAMPAH)

    Algoritma Pengumpulan Sampah Otomatis

  • DUKUNGAN ENKRIPSI

    Enkripsi AES 256-bit (Kelas 0) TCG/Opal IEEE1667 (Drive terenkripsi)

  • DUKUNGAN WWN

    Tidak didukung

  • DUKUNGAN MODE TIDUR PERANGKAT

    Ya

Kinerja 2)

  • BACAAN BERURUTAN

    1TB: Hingga 5.000 MB/dtk
    2TB: Hingga 5.000 MB/dtk

  • TULIS BERURUTAN

    1TB: Hingga 4.200 MB/dtk
    2TB: Hingga 4.200 MB/dtk

  • BACA ACAK (4KB, QD32)

    1TB: Hingga 680.000 IOPS
    2TB: Hingga 700.000 IOPS

  • TULIS ACAK (4KB, QD32)

    1TB: Hingga 800.000 IOPS
    2TB: Hingga 800.000 IOPS

  • BACA ACAK (4KB, QD1)

    1TB: Hingga 20.000 IOPS
    2TB: Hingga 20.000 IOPS

  • TULIS ACAK (4KB, QD1)

    1TB: Hingga 90.000 IOPS
    2TB: Hingga 90.000 IOPS

Lingkungan

  • KONSUMSI DAYA RATA-RATA
    (TINGKAT SISTEM) 3)

    1TB: Rata-rata: Baca 4,9 W / Tulis 4,5 W
    2TB: Rata-rata: Baca 5,5 W / Tulis 4,7 W

  • KONSUMSI DAYA (IDLE) 3)

    1TB: Biasa 60 mW
    2TB: Biasa 60 mW

  • KONSUMSI DAYA (PERANGKAT TIDUR)

    1TB: Biasa 5 mW
    2TB: Biasa 5 mW

  • TEGANGAN YANG DIIZINKAN

    3,3 V ± 5 % Tegangan yang diijinkan

  • KEANDALAN (MTBF)

    Keandalan 1,5 Juta Jam (MTBF)

  • SUHU OPERASIONAL

    0 - 70 ℃ Suhu Operasional

  • TERKEJUT

    1.500 G & 0,5 ms (Setengah sinus)

Aksesoris

  • KIT INSTALASI

    Tidak tersedia

Garansi 4)

  • MZ-V9E1T0BW (1TB)

    Garansi terbatas 5 tahun atau 600TBW

  • MZ-V9E2T0BW (2TB)

    Garansi terbatas 5 tahun atau 1200 TBW

  • 1)Kapasitas sebenarnya yang dapat digunakan mungkin lebih sedikit (karena pemformatan, partisi, sistem operasi, aplikasi, atau lainnya)
  • 2)Performa dapat bervariasi berdasarkan perangkat keras & konfigurasi sistem
  • 3)Konsumsi daya sebenarnya dapat bervariasi tergantung pada perangkat keras & konfigurasi sistem
  • 4)Samsung Electronics tidak bertanggung jawab atas kerugian apa pun, termasuk namun tidak terbatas pada hilangnya data atau informasi lain yang terkandung dalam produk Samsung Electronics dan perangkat penyimpanan, atau hilangnya keuntungan atau pendapatan yang mungkin ditanggung oleh pengguna. 
Komentar